根据ATSAMD51J20A的器件规格书,ATSAMD51J20A芯片具有一种称为SmartEEPROM的功能,它可以在芯片的闪存中模拟EEPROM存储器。但是,根据芯片规格书,在ATSAMD51J20A芯片上使用SmartEEPROM的容量受到限制,最大容量为1024个字节。
要解决这个限制问题,可以使用芯片的Flash Memory来代替SmartEEPROM,这将允许您在Flash Memory中使用更大的容量。以下是使用Flash Memory来替代SmartEEPROM的示例代码:
#include
#define EEPROM_START_ADDR 0x7000 // 设置Flash Memory地址
int main(void)
{
// 定义要读写的数据
uint8_t eeprom_data[1024] = {0};
// 写入数据
for (uint16_t i = 0; i < 1024; i++)
eeprom_data[i] = i;
// 将数据写入Flash Memory
for (uint16_t i = 0; i < 1024; i++)
{
// 执行Flash内存写操作
NVMCTRL->ADDR.reg = EEPROM_START_ADDR + i;
NVMCTRL->CTRLA.reg = NVMCTRL_CTRLA_CMDEX_KEY | NVMCTRL_CTRLA_CMD_WP;
// 写入数据
*(uint8_t*)(EEPROM_START_ADDR + i) = eeprom_data[i];
// 等待操作完成
while (NVMCTRL->INTFLAG.bit.READY == 0);
}
// 从Flash Memory中读取数据
uint8_t read_data[1024] = {0};
for (uint16_t i = 0; i < 1024; i++)
read_data[i] = *(uint8_t*)(EEPROM_START_ADDR + i);
// 测试数据是否正确读取
for (uint16_t i = 0; i < 1024; i++)
if (eeprom_data[i] != read_data[i])
while (1);
return 0;
}
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